г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB17N20D Infineon Technologies

Артикул
IRFB17N20D
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB, N-Channel 200 V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB17N20D.jpg
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
200 V
10V
170mOhm @ 9.8A, 10V
5.5V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±30V
1100 pF @ 25 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
16A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRFB17N20D
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
3.8W (Ta), 140W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BZT52C3V3-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 3.3V 500MW SOD123, Zener Diode 3.3 V 500 mW ±6% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: BZT52C5V6-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD123, Zener Diode 5.6 V 500 mW ±7% Surface Mount SOD-123
Подробнее
Артикул: SVC236-TB-E
Бренд: SANYO
Описание: DIFFUSED JUNCTION TYPE SILICON V, Varactors 1 Pair Common Cathode 16 V Surface Mount 3-CP
Подробнее
Артикул: STA485A
Бренд: Sanken
Описание: TRANS 4NPN DARL 100V 1A 10-SIP, Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN Darlington (Quad) 100V 1A 50MHz 4W Through Hole 10-SIP
Подробнее
Артикул: US-2012
Бренд: Capital Advanced Technologies
Описание: PROTO BOARD 12PIN THRU-HOLE SIP,
Подробнее
Артикул: 1N5258B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 36 V 1W DO-35, Zener Diode 36 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее