г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB260NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB260NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 56A TO220AB, N-Channel 200 V 56A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
558 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB260NPBF.jpg
SP001551726,*IRFB260NPBF
MOSFET (Metal Oxide)
380W (Tc)
N-Channel
200 V
56A (Tc)
40mOhm @ 34A, 10V
4V @ 250µA
220 nC @ 10 V
4220 pF @ 25 V
-
10V
IRFB260
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 13SP069
Бренд: Essentra Components
Описание: ROUND THROUGH SPACER, NATURAL, N, Round Spacer Unthreaded Nylon Natural
Подробнее
Артикул: 1287-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERNO FINISH - NYLON3/4, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.750" (19.05mm) 3/4" -
Подробнее
Артикул: SQ1539EH-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N/P-CH 30V POWERPAKSC70-6, Mosfet Array N and P-Channel 30V 850mA (Tc) 1.5W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
Подробнее
Артикул: FQP19N20C
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDS6294
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1, N-Channel 30 V 13A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: BZX85C12-TAP
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ZENER 12V 1.3W DO41, Zener Diode 12 V 1.3 W ±5% Through Hole DO-204AL (DO-41)
Подробнее