г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB3004PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB3004PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB, N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
923 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB3004PBF.jpg
TO-220-3
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
40 V
10V
1.75mOhm @ 195A, 10V
4V @ 250µA
240 nC @ 10 V
±20V
9200 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Active
195A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001572420,2156-IRFB3004PBF,IFEINFIRFB3004PBF
100
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRFB3004
380W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VRF157FL
Бренд: Microchip Technology
Описание: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2, RF Mosfet N-Channel 50 V 800 mA 80MHz 21dB 600W T2
Подробнее
Артикул: IRGS14C40LTRLP
Бренд: International Rectifier
Описание: IGNITION IGBT WITH ON-CHIP GATE-, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount TO-263AB
Подробнее
Артикул: TFA57S
Бренд: Sanken
Описание: SCR 700V 7.8A TO220F, SCR 700 V 7.8 A Standard Recovery Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: BD237STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 80V 2A TO-126, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 2 A 3MHz 25 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: ISL9V3036D3S
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 360V 21A 150W TO252AA, IGBT - 360 V 21 A 150 W Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 1441-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.250" (31.75mm) 1 1/4" -
Подробнее