г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB3006GPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB3006GPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB, N-Channel 60 V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
435 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB3006GPBF.jpg
SP001577692
MOSFET (Metal Oxide)
375W (Tc)
N-Channel
60 V
195A (Tc)
2.5mOhm @ 170A, 10V
4V @ 250µA
300 nC @ 10 V
8970 pF @ 50 V
-
10V
IRFB3006
Through Hole
HEXFET®
Tube
Not For New Designs
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
1,000
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IHW20N135R3FKSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1350V 20A 310W TO247-3, IGBT Trench 1350 V 40 A 310 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее
Артикул: 1N1184A
Бренд: Microchip Technology
Описание: STANDARD RECTIFIER, Diode
Подробнее
Артикул: BD-ACD-10AX1152B
Бренд: Intel
Описание: BOARD PAC PCIE HPC ARRIA 10FPGA,
Подробнее
Артикул: JC16-5-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5/16" JAW COUPLING HUB,
Подробнее
Артикул: STGWA40M120DF3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 1200V 80A 468W TO-247-3, IGBT Trench Field Stop 1200 V 80 A 468 W Through Hole TO-247 Long Leads
Подробнее
Артикул: FZTA14TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN DARL 30V 1A SOT223, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30 V 1 A 170MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее