г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB3507PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB3507PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB, N-Channel 75 V 97A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB3507PBF.jpg
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
75 V
10V
8.8mOhm @ 58A, 10V
4V @ 100µA
130 nC @ 10 V
±20V
3540 pF @ 50 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
HEXFET®
Tube
Obsolete
97A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001565920,*IRFB3507PBF
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
190W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 7109-S-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWCADMIUM (COMMERCIAL)7/, #10-32 Knob Thumb Screw - Drive Steel
Подробнее
Артикул: 1520-B-2-B-5
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERNICKEL 3/16 RD, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: STTH3012D
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC, Diode Standard 1200 V 30A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: FS25R12KT3BOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 40A 145W, IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge 1200 V 40 A 145 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: EM6M2T2R
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N/P-CH 20V 0.2A EMT6, Mosfet Array N and P-Channel 20V 200mA 150mW Surface Mount EMT6
Подробнее
Артикул: DMN61D8LVT-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 630mA 820mW Surface Mount TSOT-23
Подробнее