г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB3607PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB3607PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB, N-Channel 75 V 80A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
177 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB3607PBF.jpg
2156-IRFB3607PBF,64-0093PBF,64-0093PBF-ND,SP001551746,IFEINFIRFB3607PBF
MOSFET (Metal Oxide)
140W (Tc)
N-Channel
75 V
80A (Tc)
9mOhm @ 46A, 10V
4V @ 100µA
84 nC @ 10 V
3070 pF @ 50 V
-
10V
IRFB3607
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N753A
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.2V 500MW DO35, Zener Diode 6.2 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRLSL3036PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 60V 195A TO262, N-Channel 60 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-262
Подробнее
Артикул: IRL3803S
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK, N-Channel 30 V 140A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: STGW60H65DFB
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT 650V 80A 375W TO-247, IGBT Trench Field Stop 650 V 80 A 375 W Through Hole TO-247
Подробнее
Артикул: BC548B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 100 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: MMBT3906-ON
Бренд: onsemi
Описание: 0.2A, 40V, PNP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее