г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4127PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4127PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB, N-Channel 200 V 76A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
651 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4127PBF.jpg
SP001560212
MOSFET (Metal Oxide)
375W (Tc)
N-Channel
200 V
76A (Tc)
20mOhm @ 44A, 10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
5380 pF @ 50 V
-
10V
IRFB4127
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
100
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC857A
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: BJT SOT-23 45V 100MA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: IPD80R1K4P7ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 800V 4A TO252, N-Channel 800 V 4A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Подробнее
Артикул: IRG4PH20KD
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 11A 60W TO247AC, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1N4004G
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE GEN PURP 400V 1A DO41, Diode Standard 400 V 1A Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: IXGH10N170A
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 1700V 10A 140W TO247, IGBT NPT 1700 V 10 A 140 W Through Hole TO-247AD
Подробнее
Артикул: C106M1
Бренд: onsemi
Описание: SCR 600V 4A TO225AA, SCR 600 V 4 A Sensitive Gate Through Hole TO-126
Подробнее