г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4212PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4212PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB, N-Channel 100 V 18A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4212PBF.jpg
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
100 V
10V
72.5mOhm @ 13A, 10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
Tube
Obsolete
18A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001555992
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
60W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BB-USOPTL4
Бренд: Advantech
Описание:

CONVERTER USB TO ISO RS422/485,

Подробнее
Артикул: IPB027N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK, N-Channel 100 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IRF7413TRPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO, N-Channel 30 V 13A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: MC1413DR2G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SOIC, Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 500mA - - Surface Mount 16-SOIC
Подробнее
Артикул: DMN5L06DWK-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET 2N-CH 50V 0.305A SOT-363, Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 305mA 250mW Surface Mount SOT-363
Подробнее
Артикул: TIP112
Бренд: Solid State
Описание: TO 220 2.0 AMP DARLINGTON TRANSI, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 2 A - 50 W Through Hole TO-220
Подробнее