г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4212PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4212PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 18A TO220AB, N-Channel 100 V 18A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
181 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4212PBF.jpg
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
100 V
10V
72.5mOhm @ 13A, 10V
5V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
550 pF @ 50 V
-
TO-220-3
MOSFET (Metal Oxide)
-
Tube
Obsolete
18A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001555992
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
60W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: S8CM-M3/I
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 8A DO214AB, Diode Standard 1000 V 8A Surface Mount DO-214AB (SMC)
Подробнее
Артикул: BAT54AWT1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323, Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 30 V 200mA (DC) Surface Mount SC-70, SOT-323
Подробнее
Артикул: 2N4036
Бренд: onsemi
Описание: PNP GP 5W 65V TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 1 A - 5 W Through Hole TO-39
Подробнее
Артикул: BCR141W
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT)
Подробнее
Артикул: 1N5225B
Бренд: Rectron
Описание: DIODE ZENER 3 V 1W DO-35, Zener Diode 3 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: STTH60W03CW
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 300 V 30A Through Hole TO-247-3
Подробнее