г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4229PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4229PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB, N-Channel 250 V 46A (Tc) 330W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
687 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4229PBF.jpg
SP001565910,2156-IRFB4229PBF,IFEINFIRFB4229PBF
MOSFET (Metal Oxide)
330W (Tc)
N-Channel
250 V
46A (Tc)
46mOhm @ 26A, 10V
5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
4560 pF @ 25 V
-
10V
IRFB4229
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-40°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±30V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1561-B-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: UMH11NTN
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6
Подробнее
Артикул: G3R160MT12D
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3, N-Channel 1200 V 22A (Tc) 123W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: FDD86367-F085
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 80V 100A DPAK, N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: 1544-B-3-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.938" (23.83mm) 15/16" -
Подробнее
Артикул: IRF7466
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 11A 8SO, N-Channel 30 V 11A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее