г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4610 Infineon Technologies

Артикул
IRFB4610
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB, N-Channel 100 V 73A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4610.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
190W (Tc)
N-Channel
100 V
73A (Tc)
14mOhm @ 44A, 10V
4V @ 100µA
140 nC @ 10 V
3550 pF @ 50 V
-
10V
*IRFB4610
Through Hole
50
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AOD2916
Бренд: Alpha & Omega Semiconductor
Описание: MOSFET N CH 100V 5.5A TO252, N-Channel 100 V 5.5A (Ta), 25A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Подробнее
Артикул: B43511
Бренд: Box Partners
Описание: #5 STRUNG TAG PACK 4-3/4X2-3/8",
Подробнее
Артикул: MJF122
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN DARL 100V 5A TO220FP, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A - 2 W Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: BC856ALT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 65V 100MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: FF300R12KT3HOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 480A 1450W, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 480 A 1450 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IXBH32N300
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 3000V 80A 400W TO247, IGBT - 3000 V 80 A 400 W Through Hole TO-247AD
Подробнее