г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB4710PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB4710PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB, N-Channel 100 V 75A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
522 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB4710PBF.jpg
SP001556118,*IRFB4710PBF
MOSFET (Metal Oxide)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
N-Channel
100 V
75A (Tc)
14mOhm @ 45A, 10V
5.5V @ 250µA
170 nC @ 10 V
6160 pF @ 25 V
-
10V
IRFB4710
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N3595TR
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35, Diode Standard 150 V 200mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: STPS1045FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 45V 10A TO220FPAC, Diode Schottky 45 V 10A Through Hole TO-220FPAC
Подробнее
Артикул: KBP06G
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 1.5A KBP, Bridge Rectifier Single Phase Standard 600 V Through Hole KBP
Подробнее
Артикул: FF800R12KF4
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MOD 1200V 800A 5000W, IGBT Module - 2 Independent 1200 V 800 A 5000 W Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: IRF7433
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET P-CH 12V 8.9A 8SO, P-Channel 12 V 8.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: IXFN50N80Q2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B, N-Channel 800 V 50A (Tc) 1135W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Подробнее