г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB5620PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFB5620PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB, N-Channel 200 V 25A (Tc) 144W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
439 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB5620PBF.jpg
SP001565852
MOSFET (Metal Oxide)
144W (Tc)
N-Channel
200 V
25A (Tc)
72.5mOhm @ 15A, 10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
1710 pF @ 50 V
-
10V
IRFB5620
Through Hole
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
50
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: DXTA42-13
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 300V 0.5A SOT89-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3
Подробнее
Артикул: 2N3415
Бренд: NTE Electronics
Описание: T-NPN SI- GEN PUR AMP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 500 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: VSSB420S-M3/5BT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 1.8A DO214AA, Diode Schottky 200 V 1.8A (DC) Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: HSCH-5310
Бренд: Broadcom Limited
Описание: DIODE SCHOTTKY 500V BEAM LEAD, RF Diode
Подробнее
Артикул: 1N5287
Бренд: Solid State
Описание: FED .33 MA DO35, Diode Standard 100 V 363mA (DC) Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: 2N4036
Бренд: onsemi
Описание: PNP GP 5W 65V TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor PNP 65 V 1 A - 5 W Through Hole TO-39
Подробнее