г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFB9N65A VISHAY

Артикул
IRFB9N65A
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB, N-Channel 650 V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFB9N65A.jpg
Through Hole
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
650 V
8.5A (Tc)
10V
930mOhm @ 5.1A, 10V
4V @ 250µA
±30V
1417 pF @ 25 V
-
167W (Tc)
1,000
*IRFB9N65A
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
IRFB9N65
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
48 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1532-B-4-B-15
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SWAGE SPACERHOT TIN DIP1/4, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1N4151
Бренд: NTE Electronics
Описание: D-SI 75PRV .05A, Diode Standard 75 V 150mA Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRFS52N15DPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK, N-Channel 150 V 51A (Tc) 3.8W (Ta), 230W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: UF3C170400K3S
Бренд: UnitedSiC
Описание: SICFET N-CH 1700V 7.6A TO247-3, N-Channel 1700 V 7.6A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: 1N3879
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: DIODE GEN PURP 50V 6A DO4, Diode Standard 50 V 6A Chassis, Stud Mount DO-4
Подробнее
Артикул: US1MHE3_A/H
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC, Diode Standard 1000 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее