г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFBF30PBF VISHAY

Артикул
IRFBF30PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB, N-Channel 900 V 3.6A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
472 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFBF30PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
900 V
3.6A (Tc)
10V
3.7Ohm @ 2.2A, 10V
4V @ 250µA
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
Through Hole
50
*IRFBF30PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
IRFBF30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
78 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SIHG24N65E-GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 650V 24A TO247AC, N-Channel 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: NST489AMT1G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 2A 6TSOP, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 2 A 300MHz 535 mW Surface Mount 6-TSOP
Подробнее
Артикул: BZX84-C24,215
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: DIODE ZENER 24V 250MW TO236AB,
Подробнее
Артикул: 2N2907
Бренд: Solid State
Описание: TO 18 PNP SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: 2N5551TA
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 160V 600MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 100MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: STPS3L60S
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 3A SMC, Diode Schottky 60 V 3A Surface Mount SMC
Подробнее