г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFBG20 VISHAY

Артикул
IRFBG20
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB, N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
301 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFBG20.jpg
Through Hole
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
1000 V
1.4A (Tc)
10V
11Ohm @ 840mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
500 pF @ 25 V
-
54W (Tc)
1,000
*IRFBG20
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
IRFBG20
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
38 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-50WQ06FNTRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK, Diode Schottky 60 V 5.5A Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Подробнее
Артикул: IRLR024NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IRLR110PBF
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK, N-Channel 100 V 4.3A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IGN1011L1200
Бренд: Integra Technologies
Описание: GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND, RF Mosfet HEMT 50 V 160 mA 1.03GHz ~ 1.09GHz 16.8dB 1250W PL84A1
Подробнее
Артикул: NVMFS2D3P04M8LT1G
Бренд: onsemi
Описание: MV8 P INITIAL PROGRAM, P-Channel 40 V 31A (Ta), 222A (Tc) 3.8W (Ta), 205W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: PCMR22-5-5-SS
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 5MMX5MM STAINLESS BEAM CPLNG,
Подробнее