г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD110 Harris

Артикул
IRFD110
Бренд
Harris
Описание
1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL, N-Channel 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Цена
91 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
-
N-Channel
MOSFET (Metal Oxide)
1A (Ta)
540mOhm @ 600mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
-
1.3W (Ta)
100 V
8.3 nC @ 10 V
180 pF @ 25 V
Vendor Undefined
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
IRFD110
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
EAR99
2156-IRFD110,HARHARIRFD110
1
4-DIP (0.300", 7.62mm)
10V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BB-232USB9M
Бренд: Advantech
Описание:

MINI CONVERTER USB TO SERIAL,

Подробнее
Артикул: MJ15003
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 140V 20A TO204, Bipolar (BJT) Transistor NPN 140 V 20 A 2MHz 250 W Through Hole TO-204 (TO-3)
Подробнее
Артикул: NVHL072N65S3
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 650V 44A TO247-3, N-Channel 650 V 44A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MW6S010NR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 68V 960MHZ TO270-2, RF Mosfet LDMOS 28 V 125 mA 960MHz 18dB 10W TO-270-2
Подробнее
Артикул: BC846B,215
Бренд: Nexperia
Описание: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23, Bipolar (BJT) Transistor NPN 65 V 100 mA 100MHz 250 mW Surface Mount TO-236AB
Подробнее
Артикул: 1510-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.688" (42.86mm) -
Подробнее