г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD123 Harris

Артикул
IRFD123
Бренд
Harris
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, N-Channel 100 V 1.3A (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
138 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFD123.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
1.3A (Ta)
N-Channel
100 V
270mOhm @ 780mA, 10V
4V @ 250µA
16 nC @ 10 V
360 pF @ 25 V
4-HVMDIP
4-DIP (0.300", 7.62mm)
HARHARIRFD123,2156-IRFD123-HC
-
Tube
Obsolete
Through Hole
RoHS non-compliant
EAR99
8541.29.0095
100
-

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N757A
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO7, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-7 (DO-204AA)
Подробнее
Артикул: MMRF5014HR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 125V 2.5GHZ NI360, RF Mosfet HEMT 50 V 350 mA 2.5GHz 18dB 125W NI-360H-2SB
Подробнее
Артикул: BZX85C6V8
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 6.8V 1W DO204AL, Zener Diode 6.8 V 1 W ±6% Through Hole DO-41
Подробнее
Артикул: SB-1500
Бренд: Wakefield-Vette
Описание: ALVES ZERO BACKLASH U-JOINT,
Подробнее
Артикул: 2SD2016
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN DARL 200V 3A TO220F, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 200 V 3 A 90MHz 25 W Through Hole TO-220F
Подробнее
Артикул: ZTX557
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 300V 0.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 500 mA 75MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее