г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD123PBF VISHAY

Артикул
IRFD123PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP, N-Channel 100 V 1.3A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFD123PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
100 V
1.3A (Ta)
10V
270mOhm @ 780mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
360 pF @ 25 V
-
1.3W (Ta)
Through Hole
2,500
*IRFD123PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-HVMDIP
IRFD123
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
16 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC807-40LT1
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 500MA SOT23, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 0660-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN BRASS1/2HD X, #10-24 Knob Panel Screw Slotted Drive Brass
Подробнее
Артикул: IRG4PH40UDPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 1200V 41A 160W TO247AC, IGBT - 1200 V 41 A 160 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: 1507-8-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Brass 1.500" (38.10mm) 1 1/2" -
Подробнее
Артикул: MRFE6P3300HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 66V 863MHZ NI-860C3, RF Mosfet LDMOS 32 V 1.6 A 857MHz ~ 863MHz 20.4dB 270W NI-860C3
Подробнее
Артикул: DTC114EMT2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 50 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount VMT3
Подробнее