г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD210 VISHAY

Артикул
IRFD210
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP, N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFD210.jpg
Through Hole
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
200 V
600mA (Ta)
10V
1.5Ohm @ 360mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
140 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
2,500
*IRFD210
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-HVMDIP
IRFD210
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
8.2 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-12CWQ03FNTRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V 6A DPAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 30 V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Подробнее
Артикул: 2N5088G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 30V 0.05A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 50 mA 50MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: 1411-10-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.313" (33.35mm) 1 5/16" -
Подробнее
Артикул: IPB083N10N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK, N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: IPB200N25N3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 64A D2PAK, N-Channel 250 V 64A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: P1000D
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: DIODE STD D8X7.5 200V 10A, Diode Standard 200 V 10A Through Hole P600
Подробнее