г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD210PBF VISHAY

Артикул
IRFD210PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 200V 600MA 4DIP, N-Channel 200 V 600mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
250 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFD210PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
200 V
600mA (Ta)
10V
1.5Ohm @ 360mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
140 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
Through Hole
2,500
*IRFD210PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-HVMDIP
IRFD210
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
8.2 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: A2C35S12M3
Бренд: STMicroelectronics
Описание: IGBT MOD 1200V 35A 250W ACEPACK2, IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter with Brake 1200 V 35 A 250 W Chassis Mount ACEPACK™ 2
Подробнее
Артикул: IRLR2905TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK, N-Channel 55 V 42A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: R910-3
Бренд: Essentra Components
Описание: ROUND SPACER NYLON 3/16", Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.188" (4.78mm) 3/16" White
Подробнее
Артикул: P-5016
Бренд: WEC
Описание: P-5016,
Подробнее
Артикул: MRF7S18170HR3
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 65V 1.81GHZ NI-880, RF Mosfet LDMOS 28 V 1.4 A 1.81GHz 17.5dB 50W NI-880H-2L
Подробнее
Артикул: RURU15060
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 600V 150A TO218, Diode Standard 600 V 150A Through Hole TO-218
Подробнее