г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFD220PBF VISHAY

Артикул
IRFD220PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 200V 800MA 4DIP, N-Channel 200 V 800mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Цена
269 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFD220PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
200 V
800mA (Ta)
10V
800mOhm @ 480mA, 10V
4V @ 250µA
±20V
260 pF @ 25 V
-
1W (Ta)
Through Hole
2,500
*IRFD220PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
4-DIP (0.300", 7.62mm)
4-HVMDIP
IRFD220
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
14 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: STP16NF06FP
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 60V 11A TO220FP, N-Channel 60 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Подробнее
Артикул: BSB014N04LX3GXUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: BSB014N04 - TRENCH <= 40V, N-Channel 40 V 36A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Подробнее
Артикул: MJW3281AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 230V 15A TO247, Bipolar (BJT) Transistor NPN 230 V 15 A 30MHz 200 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: SS14-E3/5AT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO214AC, Diode Schottky 40 V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: BSC067N06LS3
Бренд: Infineon Technologies
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: 2N3584
Бренд: Solid State
Описание: TO 66 1.0 & 2.0 AMP POWER TRANSI, Bipolar (BJT) Transistor NPN 250 V 2 A - 35 W Through Hole TO-66
Подробнее