г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFI640GPBF VISHAY

Артикул
IRFI640GPBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3, N-Channel 200 V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
410 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFI640GPBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
200 V
9.8A (Tc)
10V
180mOhm @ 5.9A, 10V
4V @ 250µA
±20V
1300 pF @ 25 V
-
40W (Tc)
Through Hole
50
*IRFI640GPBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
TO-220-3
IRFI640
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
70 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRFL024ZTRPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223, N-Channel 55 V 5.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Подробнее
Артикул: 2N5001
Бренд: Microchip Technology
Описание: NPN SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1127-4-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACER NYLON 7/16", Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: 2N4400
Бренд: NTE Electronics
Описание: TRANS NPN 40V 600MA TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92
Подробнее
Артикул: GBU10B
Бренд: GeneSiC Semiconductor
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 100 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: DD-90-3-6
Бренд: Kilo International
Описание: KNOB KNURLED 0.125" METAL, Knurled, Straight Knob 0.125" (3.18mm) Shaft with Line on Side Metal Clear Matte
Подробнее