г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFIBC30GPBF VISHAY

Артикул
IRFIBC30GPBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3, N-Channel 600 V 2.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Цена
522 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFIBC30GPBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
600 V
2.5A (Tc)
10V
2.2Ohm @ 1.5A, 10V
4V @ 250µA
±20V
660 pF @ 25 V
-
35W (Tc)
Through Hole
1,000
*IRFIBC30GPBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
TO-220-3
IRFIBC30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
31 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VUB160-16NOXT
Бренд: IXYS
Описание: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 180A V2-PAK, Bridge Rectifier Three Phase (Braking) Standard 1.6 kV Chassis Mount V2-PAK
Подробнее
Артикул: NTMFS5C410NT1G
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN, N-Channel 40 V 46A (Ta), 300A (Tc) 3.9W (Ta), 166W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Подробнее
Артикул: DTC143ESATP
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole SPT
Подробнее
Артикул: NGD8205ANT4G
Бренд: Littelfuse
Описание: IGBT 390V 20A DPAK, IGBT - 390 V 20 A 125 W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Подробнее
Артикул: 1159-10-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/16 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.500" (12.70mm) 1/2" -
Подробнее
Артикул: IXGP48N60C3
Бренд: IXYS
Описание: IGBT 600V 75A 300W TO220AB, IGBT PT 600 V 75 A 300 W Through Hole TO-220-3
Подробнее