г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP3306PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP3306PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A TO247AC, N-Channel 60 V 120A (Tc) 220W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
572 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFP3306PBF.jpg
2156-IRFP3306PBF,SP001564200,IFEINFIRFP3306PBF,AUXYBFP3306-ND,AUXYBFP3306
MOSFET (Metal Oxide)
220W (Tc)
N-Channel
60 V
120A (Tc)
4.2mOhm @ 75A, 10V
4V @ 150µA
120 nC @ 10 V
4520 pF @ 50 V
-
10V
IRFP3306
Through Hole
HEXFET®
Tube
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
25
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: RUM002N05T2L
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 50V 200MA VMT3, N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Подробнее
Артикул: GBU408
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 4A GBU, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole GBU
Подробнее
Артикул: PD57018S
Бренд: STMicroelectronics
Описание: FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10, RF Mosfet LDMOS 28 V 100 mA 945MHz 16.5dB 18W 10-PowerSO
Подробнее
Артикул: D921S45TXPSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: DIODE GEN PURP 4.5KV 1630A, Diode Standard 4500 V 1630A Chassis Mount -
Подробнее
Артикул: IRF9335PBF
Бренд: International Rectifier
Описание: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE, P-Channel 30 V 5.4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
Подробнее
Артикул: PS21563-P
Бренд: Powerex
Описание: MOD IPM 600V 10A MINI DIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 35-PowerDIP Module (1.370", 34.80mm)
Подробнее