г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFP4127PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFP4127PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 75A TO247AC, N-Channel 200 V 75A (Tc) 341W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
1 195 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFP4127PBF.jpg
TO-247-3
TO-247AC
REACH Unaffected
N-Channel
200 V
10V
21mOhm @ 44A, 10V
5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
5380 pF @ 50 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Active
75A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
SP001566148
25
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRFP4127
341W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MCH3478-TL-W
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 30V 2A 3MCPH, N-Channel 30 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 3-MCPH
Подробнее
Артикул: STW88N65M5-4
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 84A TO247-4L, N-Channel 650 V 84A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247-4
Подробнее
Артикул: 2N6109G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 50V 7A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 7 A 10MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: IRG7S313UTRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT PDP 330V 40A D2PAK, IGBT Trench 330 V 40 A 78 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRGBC30F
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT FAST 600V 31A TO-220AB, IGBT - 600 V 31 A 100 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: DRDPB16W-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PREBIAS PNP 0.2W SOT363, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
Подробнее