г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFPE30PBF VISHAY

Артикул
IRFPE30PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3, N-Channel 800 V 4.1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247AC
Цена
629 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFPE30PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
800 V
4.1A (Tc)
10V
3Ohm @ 2.5A, 10V
4V @ 250µA
±20V
1300 pF @ 25 V
-
125W (Tc)
Through Hole
500
*IRFPE30PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-247-3
TO-247AC
IRFPE30
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
78 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-20BQ030-M3/5BT
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 2A SMB, Diode Schottky 30 V 2A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: 1562-B-6-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SWAGE SPACERPLAIN BRASS1/4 H, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: SMS230
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: SCHOTTKY MELF 30V 2A, Diode Schottky 30 V 2A Surface Mount MELF DO-213AB
Подробнее
Артикул: IRGB30B60K
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT 600V 78A 370W TO220AB, IGBT NPT 600 V 78 A 370 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FDD5690
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 60V 30A TO252, N-Channel 60 V 30A (Tc) 3.2W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Подробнее
Артикул: SKW07N120
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT, 16.5A, 1200V, N-CHANNEL, IGBT NPT 1200 V 16.5 A 125 W Through Hole PG-TO247-3-1
Подробнее