г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR4105Z Infineon Technologies

Артикул
IRFR4105Z
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 30A DPAK, N-Channel 55 V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount D-Pak
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFR4105Z.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
48W (Tc)
N-Channel
55 V
30A (Tc)
24.5mOhm @ 18A, 10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
740 pF @ 25 V
-
10V
SP001571602,*IRFR4105Z
Surface Mount
75
HEXFET®
Tube
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
D-Pak
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IQE006NE2LM5ATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 25V 41A/298A 8TSON, N-Channel 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2.1W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PG-TSON-8-4
Подробнее
Артикул: 1449-8-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON1/2 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.750" (44.45mm) 1 3/4" -
Подробнее
Артикул: MBR1635
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO220AC, Diode Schottky 35 V 16A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: APT80GP60B2G
Бренд: Microchip Technology
Описание: IGBT 600V 100A 1041W TMAX, IGBT PT 600 V 100 A 1041 W Through Hole T-MAX™ [B2]
Подробнее
Артикул: BAL99-E3-08
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 70V 250MA SOT23, Diode Standard 70 V 250mA Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRAM136-1061A2
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IC MOSFET DRIVER, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 12 A 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Подробнее