г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFR9N20DTRPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFR9N20DTRPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK, N-Channel 200 V 9.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount D-Pak
Цена
451 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFR9N20DTRPBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
86W (Tc)
N-Channel
200 V
9.4A (Tc)
380mOhm @ 5.6A, 10V
5.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
560 pF @ 25 V
-
10V
IRFR9N20DTRPBFDKR,IRFR9N20DTRPBF-ND,IRFR9N20DTRPBFTR,SP001552256,IRFR9N20DTRPBFCT
Surface Mount
2,000
HEXFET®
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
Obsolete
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
D-Pak
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±30V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-HFA16PA60C-N3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE STANDARD 600V 8A TO247AC, Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 600 V 8A Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MDI550-12A4
Бренд: IXYS
Описание: IGBT MOD 1200V 670A 2750W Y3DCB, IGBT Module NPT Single 1200 V 670 A 2750 W Chassis Mount Y3-DCB
Подробнее
Артикул: TIP30B
Бренд: Solid State
Описание: TO 220 1.0 AMP SILICON TRANSISTO, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1201-6-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL3/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.188" (30.18mm) 1 3/16" -
Подробнее
Артикул: 1N960B
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35, Zener Diode 9.1 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: IRLU024N
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK, N-Channel 55 V 17A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее