г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS30067PPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS30067PPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 240A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Цена
413 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
HEXFET®
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
60 V
240A (Tc)
10V
2.1mOhm @ 168A, 10V
4V @ 250µA
300 nC @ 10 V
±20V
8850 pF @ 50 V
-
D2PAK (7-Lead)
1 (Unlimited)
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Surface Mount
TO-263-7, D?Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Not applicable
EAR99
8541.29.0095
INFIRFIRFS30067PPBF,2156-IRFS30067PPBF
1
REACH Unaffected
375W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: VS-15MQ040NPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 1.5A SMA, Diode Schottky 40 V 1.5A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Подробнее
Артикул: PN2222ABU
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1320-2-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON3/16, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 0.438" (11.13mm) 7/16" -
Подробнее
Артикул: MRF6V2010NBR1
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: FET RF 110V 220MHZ TO272-2, RF Mosfet LDMOS 50 V 30 mA 220MHz 23.9dB 10W TO-272-2
Подробнее
Артикул: IRF822
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 500 V 2.2A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: FGH75T65UPD
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 650V 150A 375W TO-247AB, IGBT Trench Field Stop 650 V 150 A 375 W Through Hole TO-247-3
Подробнее