г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFS3206PBF Infineon Technologies

Артикул
IRFS3206PBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK, N-Channel 60 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Цена
553 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFS3206PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
300W (Tc)
N-Channel
60 V
120A (Tc)
3mOhm @ 75A, 10V
4V @ 150µA
170 nC @ 10 V
6540 pF @ 50 V
-
10V
64-2139PBF-ND,SP001557264,64-2139PBF
Surface Mount
1,000
HEXFET®
Tube
Discontinued at Digi-Key
-55°C ~ 175°C (TJ)
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
D2PAK
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
±20V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRGS14C40LPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRGS14C40 - DISCRETE IGBT WITHOU, IGBT - 430 V 20 A 125 W Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: 1N5249B
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: DIODE ZENER 19V 500MW DO35, Zener Diode 19 V 500 mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH)
Подробнее
Артикул: 2SC4466
Бренд: Sanken
Описание: TRANS NPN 80V 6A TO3P, Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 6 A 20MHz 60 W Through Hole TO-3P
Подробнее
Артикул: 2N3904,412
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: TRANS NPN 40V 0.2A TO92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 200 mA 300MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 1240-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 1.688" (42.86mm) -
Подробнее
Артикул: MCL-38-A
Бренд: Ruland Manufacturing
Описание: 38 MM ALUMINUM SHAFT COLLAR,
Подробнее