г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFSL3806PBF International Rectifier

Артикул
IRFSL3806PBF
Бренд
International Rectifier
Описание
HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 60 V 43A (Tc) 71W (Tc) Through Hole TO-262
Цена
62 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFSL3806PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
60 V
43A (Tc)
10V
15.8mOhm @ 25A, 10V
4V @ 50µA
30 nC @ 10 V
±20V
1150 pF @ 50 V
-
TO-262
1 (Unlimited)
HEXFET®
Bulk
Active
-55°C ~ 175°C (TJ)
Through Hole
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
ROHS3 Compliant
EAR99
IFEINFIRFSL3806PBF,2156-IRFSL3806PBF
1
REACH Unaffected
71W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: WW-3010-3
Бренд: Interlight
Описание: 20W 220/240V 6400K COMPACT FLUO,
Подробнее
Артикул: 2N6059
Бренд: Microchip Technology
Описание: PNP POWER TRANSISTOR SILICON AMP, Bipolar (BJT) Transistor
Подробнее
Артикул: 1482-12-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERNO FINISH - NYLON5/8 H, Hex Spacer Unthreaded - Nylon 1.875" (47.63mm) 1 7/8" -
Подробнее
Артикул: DTB143TKT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: NGTG50N60FWG
Бренд: onsemi
Описание: IGBT 600V 100A 223W TO247, IGBT Trench 600 V 100 A 223 W Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: ES2DAF
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: RECTIFIER DIODE, 2A, 200V, DO-21, Diode Standard 200 V 2A Surface Mount DO-214AD (SMAF)
Подробнее