г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFSL4410 Infineon Technologies

Артикул
IRFSL4410
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 100V 96A TO262, N-Channel 100 V 96A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-262
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFSL4410.jpg
TO-262
REACH Unaffected
N-Channel
100 V
10V
10mOhm @ 58A, 10V
4V @ 150µA
180 nC @ 10 V
±20V
5150 pF @ 50 V
-
TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
96A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRFSL4410
50
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
250W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MBRB10200CT
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 200V 10A D2PAK, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 200 V 5A Surface Mount TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Подробнее
Артикул: STTH102A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: DIODE GEN PURP 200V 1A SMA, Diode Standard 200 V 1A Surface Mount SMA (DO-214AC)
Подробнее
Артикул: IDP2308XUMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: AC/DC DIGITAL PLATFORM, Diode
Подробнее
Артикул: DTC114TETL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Подробнее
Артикул: 1015-125-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: PANEL SCREW RETAINERPLAIN BRASS1,
Подробнее
Артикул: IPS70R600P7SAKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3, N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
Подробнее