г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU120 VISHAY

Артикул
IRFU120
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET N-CH 100V 7.7A TO251AA, N-Channel 100 V 7.7A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Цена
165 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFU120.jpg
Through Hole
MOSFET (Metal Oxide)
N-Channel
100 V
7.7A (Tc)
10V
270mOhm @ 4.6A, 10V
4V @ 250µA
±20V
360 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
75
*IRFU120,IRFU120IR
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
TO-251AA
IRFU1
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
16 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5809
Бренд: Semtech
Описание: DIODE GEN PURP 100V 6A AXIAL, Diode Standard 100 V 6A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: IRFR4615PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 150V 33A DPAK, N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D-Pak
Подробнее
Артикул: IXTA26P20P
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET P-CH 200V 26A TO263, P-Channel 200 V 26A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Подробнее
Артикул: BDX33C
Бренд: Harris
Описание: NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A - 70 W Through Hole TO-220AB
Подробнее
Артикул: 1N5407G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE GEN PURP 800V 3A AXIAL, Diode Standard 800 V 3A Through Hole Axial
Подробнее
Артикул: SQJA62EP-T1_GE3
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8, N-Channel 60 V 60A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Подробнее