г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU3711 Infineon Technologies

Артикул
IRFU3711
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 20V 100A IPAK, N-Channel 20 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 120W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFU3711.jpg
IPAK (TO-251AA)
REACH Unaffected
N-Channel
20 V
4.5V, 10V
6.5mOhm @ 15A, 10V
3V @ 250µA
44 nC @ 4.5 V
±20V
2980 pF @ 10 V
-
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
MOSFET (Metal Oxide)
RoHS non-compliant
HEXFET®
Tube
Obsolete
100A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRFU3711
75
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
2.5W (Ta), 120W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IXFP76N15T2
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 150V 76A TO220AB, N-Channel 150 V 76A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FQP15P12
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 120V 15A TO220-3, P-Channel 120 V 15A (Tc) 100W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: STP13NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3, N-Channel 600 V 11A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: DTC123JETL
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 150 mW Surface Mount EMT3
Подробнее
Артикул: VS-HFA25TB60-M3
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE FRED 600V 25A TO220AC, Diode Standard 600 V 25A Through Hole TO-220AC
Подробнее
Артикул: 1MT2-8
Бренд: HONEYWELL
Описание: BASIC SWITCH,
Подробнее