г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFU9024PBF VISHAY

Артикул
IRFU9024PBF
Бренд
VISHAY
Описание
MOSFET P-CH 60V 8.8A TO251AA, P-Channel 60 V 8.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA
Цена
267 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFU9024PBF.jpg
MOSFET (Metal Oxide)
P-Channel
60 V
8.8A (Tc)
10V
280mOhm @ 5.3A, 10V
4V @ 250µA
±20V
570 pF @ 25 V
-
2.5W (Ta), 42W (Tc)
Through Hole
75
*IRFU9024PBF
-
Tube
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
TO-251AA
IRFU9024
ROHS3 Compliant
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
19 nC @ 10 V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SD2114S040S8R0
Бренд: KYOCERA AVX
Описание: DIODE SCHOTTKY 40V 8A SMB, Diode Schottky 40 V 8A (DC) Surface Mount 2114/DO-214AA
Подробнее
Артикул: STP18NM60N
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB, N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: 1N825A
Бренд: Solid State
Описание: DIODE ZENER 6.2V 400MW DO35, Zener Diode 6.2 V 400 mW ±5% Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: DTB143TKT146
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40 V 500 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SMT3
Подробнее
Артикул: 1N5618
Бренд: Microchip Technology
Описание: DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL, Diode Standard 600 V 1A Through Hole
Подробнее
Артикул: VS-80APF06PBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 600V 80A TO247AC, Diode Standard 600 V 80A Through Hole TO-247AC
Подробнее