г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRFZ48NPBF Infineon Technologies

Артикул
IRFZ48NPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB, N-Channel 55 V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220AB
Цена
236 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - FETs, MOSFETs - Single, Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
files/IRFZ48NPBF.jpg
TO-220-3
TO-220AB
REACH Unaffected
N-Channel
55 V
10V
14mOhm @ 32A, 10V
4V @ 250µA
81 nC @ 10 V
±20V
1970 pF @ 25 V
-
MOSFET (Metal Oxide)
ROHS3 Compliant
HEXFET®
Tube
Active
64A (Tc)
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
2156-IRFZ48NPBF,SP001552474,*IRFZ48NPBF,IFEINFIRFZ48NPBF
100
Through Hole
-55°C ~ 175°C (TJ)
IRFZ48
130W (Tc)

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: HSMS-2812-BLKG
Бренд: Broadcom Limited
Описание: RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT23-3, RF Diode Schottky - 1 Pair Series Connection 20V 1 A SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FZT853TA
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 100V 6A SOT-223, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 6 A 130MHz 3 W Surface Mount SOT-223-3
Подробнее
Артикул: STS3DPF60L
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET 2P-CH 60V 3A 8-SOIC, Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 60V 3A 2W Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: IKCM10H60GAXKMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MODULE IGBT 600V 10A 24PWRDIP, Power Driver Module IGBT 3 Phase 600 V 10 A 24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
Подробнее
Артикул: MJE172G
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 80V 3A TO225AA, Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 3 A 50MHz 1.5 W Through Hole TO-126
Подробнее
Артикул: PVC-10
Бренд: Brady
Описание: TUBING, 0.112 IN DIA X 100 FT L,
Подробнее