г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BAC50W-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BAC50W-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
IRG4BAC50WS,*IRG4BAC50W-S
-
200 W
Standard
600 V
55 A
-
2.3V @ 15V, 27A
80µJ (on), 320µJ (off)
Through Hole
50
8541.29.0095
Tube
Obsolete
-
TO-273AA
SUPER-220™ (TO-273AA)
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
46ns/120ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 3050-B
Бренд: Davies Molding
Описание: KNOB KNURLED 3/8"-16 PLASTIC, Knurled, Straight Knob 3/8"-16 Shaft with No Indicator Plastic Black
Подробнее
Артикул: 1506-6-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 1.438" (36.53mm) 1 7/16" -
Подробнее
Артикул: IPD040N03LG
Бренд: Infineon Technologies
Описание: OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET,
Подробнее
Артикул: 1247-12-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN BRASS5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.188" (4.78mm) 3/16" -
Подробнее
Артикул: MPSH10
Бренд: Central Semiconductor
Описание: RF TRANS NPNUHF/VHF, RF Transistor NPN 25V 650MHz 350mW Through Hole
Подробнее
Артикул: IRL520NPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB, N-Channel 100 V 10A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-220AB
Подробнее