г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BAC50W-S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BAC50W-S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 55A 200W SUPER 220, IGBT - 600 V 55 A 200 W Through Hole SUPER-220™ (TO-273AA)
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
-
IRG4BAC50WS,*IRG4BAC50W-S
-
200 W
Standard
600 V
55 A
-
2.3V @ 15V, 27A
80µJ (on), 320µJ (off)
Through Hole
50
8541.29.0095
Tube
Obsolete
-
TO-273AA
SUPER-220™ (TO-273AA)
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
46ns/120ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: EKV550
Бренд: Sanken
Описание: MOSFET N-CH 50V 50A TO220, N-Channel 50 V 50A (Ta) 85W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: FDU6296
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 15A/50A IPAK, N-Channel 30 V 15A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Through Hole I-PAK
Подробнее
Артикул: IRF740AL
Бренд: VISHAY
Описание: MOSFET N-CH 400V 10A I2PAK, N-Channel 400 V 10A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK
Подробнее
Артикул: 1250-8-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL5/8 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: ZTX658
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE, Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 500 mA 50MHz 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
Подробнее
Артикул: MMSZ4689T1G
Бренд: onsemi
Описание: DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD123, Zener Diode 5.1 V 500 mW ±5% Surface Mount SOD-123
Подробнее