г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC10SD Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC10SD
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 14A 38W TO220AB, IGBT - 600 V 14 A 38 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC10SD.jpg
480V, 8A, 100Ohm, 15V
38 W
Standard
600 V
14 A
-
18 A
1.8V @ 15V, 8A
310µJ (on), 3.28mJ (off)
15 nC
76ns/815ns
*IRG4BC10SD
Through Hole
50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
28 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 2N7002
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3, N-Channel 60 V 280mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Подробнее
Артикул: TIP121
Бренд: Central Semiconductor
Описание: TRANS NPN DARL 80V 5A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 5 A 4MHz 65 W Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: BSC034N03LSGATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON, N-Channel 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5
Подробнее
Артикул: S25160
Бренд: Microchip Technology
Описание: RECTIFIER, Diode Standard 1600 V 25A Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Подробнее
Артикул: FF6MR12KM1PHOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MEDIUM POWER 62MM, Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 250A (Tc) - Chassis Mount AG-62MM
Подробнее
Артикул: 0611-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CAPTIVE PANELPLAIN STEEL3/8HD X, #6-32 Knob Panel Screw Slotted Drive Steel
Подробнее