г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20F Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20F
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 16A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 16 A 60 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC20F.jpg
REACH Unaffected
-
600 V
16 A
64 A
2V @ 15V, 9A
60 W
70µJ (on), 600µJ (off)
Standard
27 nC
24ns/190ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC20F
50
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
480V, 9A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BAS40-04
Бренд: DComponents
Описание: SchottkyD, 40V, 0.2A, Diode Array 1 Pair Series Connection Schottky 40 V 200mA Surface Mount TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Подробнее
Артикул: FDS9412
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET N-CH 30V 7.9A 8SOIC, N-Channel 30 V 7.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Подробнее
Артикул: T1235-800G-TR
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRIAC ALTERNISTOR 800V 12A D2PAK, TRIAC Alternistor - Snubberless 800 V 12 A Surface Mount D2PAK
Подробнее
Артикул: IRFP4332PBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 250V 57A TO247AC, N-Channel 250 V 57A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: UMF21NTR
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W UMT6, Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 260MHz 150mW Surface Mount UMT6
Подробнее
Артикул: 1510-25-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL3/4 HEX X 1, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.688" (42.86mm) -
Подробнее