г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 19A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 19 A 60 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC20S.jpg
REACH Unaffected
-
600 V
19 A
38 A
1.6V @ 15V, 10A
60 W
120µJ (on), 2.05mJ (off)
Standard
27 nC
27ns/540ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC20S
50
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
480V, 10A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: AH32AN02T-5A
Бренд: Delta Electronics
Описание: 12 TO 24 VDC, 0.1A, 32 OUTPUTS,, Output Module Backplane 12 ~ 24VDC
Подробнее
Артикул: JT-211
Бренд: ECG
Описание: TIPS FOR J-SSA-1+J-SSD-X,
Подробнее
Артикул: VS-10BQ100TRPBF
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMB, Diode Schottky 100 V 1A Surface Mount DO-214AA (SMB)
Подробнее
Артикул: MCC56-16IO1B
Бренд: IXYS
Описание: MOD THYRISTOR DUAL 1600V TO240AA, SCR Module 1.6 kV 100 A Series Connection - All SCRs Chassis Mount TO-240AA
Подробнее
Артикул: BUH150
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 700V 15A TO-220AB, Bipolar (BJT) Transistor NPN 700 V 15 A 23MHz 150 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BLF7G10LS-250
Бренд: Ampleon
Описание: RF FET LDMOS 250W SOT502B, RF Mosfet LDMOS 30 V 1.8 A 869MHz ~ 960MHz 19.5dB 250W SOT502B
Подробнее