г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC20W Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC20W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 13A 60W TO220AB, IGBT - 600 V 13 A 60 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC20W.jpg
REACH Unaffected
-
600 V
13 A
52 A
2.6V @ 15V, 6.5A
60 W
60µJ (on), 80µJ (off)
Standard
26 nC
22ns/110ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC20W
50
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1N5309
Бренд: Solid State
Описание: FED 3 MA DO35, Diode Standard 100 V - Through Hole DO-35
Подробнее
Артикул: MPS6513
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 30V 200MA TO92-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 200 mA - 625 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: FDFMA2P853
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET, P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Подробнее
Артикул: 2N2369A
Бренд: STMicroelectronics
Описание: TRANS NPN 15V 0.2A TO-18, Bipolar (BJT) Transistor NPN 15 V 200 mA 675MHz 360 mW Through Hole TO-18
Подробнее
Артикул: A-66CS
Бренд: Century Spring
Описание: COMP O= .406,L= .41,W= .029,
Подробнее
Артикул: GPP20M-E3/73
Бренд: VISHAY
Описание: DIODE GEN PURP 1KV 2A DO204AC, Diode Standard 1000 V 2A Through Hole DO-204AC (DO-15)
Подробнее