г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30K Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30K
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 28A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 28 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30K.jpg
*IRG4BC30K
480V, 16A, 23Ohm, 15V
100 W
Standard
600 V
28 A
-
58 A
2.7V @ 15V, 16A
360µJ (on), 510µJ (off)
67 nC
Through Hole
50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
26ns/130ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BC308A
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 25V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 100 mA 130MHz 500 mW Through Hole TO-92-3
Подробнее
Артикул: 7229-B-B-1
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: CHASSIS FASTENERSCADMIUM (COMMER, Round Standoff - -
Подробнее
Артикул: FF450R12ME4PBOSA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: IGBT MODULE 1200V 450A, IGBT Module Trench Field Stop 2 Independent 1200 V 450 A Chassis Mount Module
Подробнее
Артикул: FDMS8025AS
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: 1-ELEMENT, N-CHANNEL, Mosfet Array
Подробнее
Артикул: TN6718A
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: TRANS NPN 100V 1.2A TO226-3, Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1.2 A - 1 W Through Hole TO-226-3
Подробнее
Артикул: 1377-4-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/16 HEX X, Hex Spacer Unthreaded - Steel 1.125" (28.58mm) 1 1/8" -
Подробнее