г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30S Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30S
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 34A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 34 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30S.jpg
REACH Unaffected
-
600 V
34 A
68 A
1.6V @ 15V, 18A
100 W
260µJ (on), 3.45mJ (off)
Standard
50 nC
22ns/540ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC30S
50
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
480V, 18A, 23Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: IRG4PH20KDPBF
Бренд: International Rectifier
Описание: IRG4PH20 - DISCRETE IGBT WITH AN, IGBT - 1200 V 11 A 60 W Through Hole TO-247AC
Подробнее
Артикул: L15W/827
Бренд: OSRAM Opto Semiconductors
Описание: L15W/827,
Подробнее
Артикул: AUIRFS4010
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK, N-Channel 100 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Подробнее
Артикул: STW12N170K5
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 1700V 5A TO247, N-Channel 1700 V 5A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-247-3
Подробнее
Артикул: MRFX1K80NR5
Бренд: NXP Semiconductors
Описание: RF MOSFET LDMOS 65V OM1230-4L, RF Mosfet LDMOS 65 V 1.8MHz ~ 470MHz 24dB 1800W OM-1230-4L
Подробнее
Артикул: IXTP64N055T
Бренд: IXYS
Описание: MOSFET N-CH 55V 64A TO220AB, N-Channel 55 V 64A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
Подробнее