г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30U Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30U
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30U.jpg
REACH Unaffected
-
600 V
23 A
92 A
2.1V @ 15V, 12A
100 W
160µJ (on), 200µJ (off)
Standard
50 nC
17ns/78ns
TO-220AB
TO-220-3
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC30U
50
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
RoHS non-compliant
480V, 12A, 23Ohm, 15V

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: MJE5850
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 300V 8A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 8 A - 80 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: MP252W
Бренд: Rectron
Описание: BRIDGE REC GLASS 200V 25A MP-25W, Bridge Rectifier Single Phase Standard 200 V Through Hole MP-25W
Подробнее
Артикул: 1126-6-B-14
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERBRIGHT TIN OVER COPP, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.375" (9.53mm) 3/8" -
Подробнее
Артикул: DMG1012UW-7
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: MOSFET N-CH 20V 1A SOT323, N-Channel 20 V 1A (Ta) 290mW (Ta) Surface Mount SOT-323
Подробнее
Артикул: BC858A-7-F
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3
Подробнее
Артикул: IRFS4310TRLPBF
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK, N-Channel 100 V 130A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK
Подробнее