г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30UDPBF Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30UDPBF
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30UDPBF.jpg
-
600 V
23 A
92 A
2.1V @ 15V, 12A
100 W
380µJ (on), 160µJ (off)
Standard
50 nC
40ns/91ns
480V, 12A, 23Ohm, 15V
REACH Unaffected
TO-220AB
-
Tube
Obsolete
1 (Unlimited)
EAR99
8541.29.0095
*IRG4BC30UDPBF,SP001547712
1,000
Through Hole
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
42 ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1102-0-N
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: 1/8 RD X 1/4 X .064 ID, Round Spacer Unthreaded - Nylon 0.250" (6.35mm) 1/4" -
Подробнее
Артикул: KBPC808
Бренд: Diotec Semiconductor
Описание: 1PH BRIDGE 19X19X6.8 800V 8A, Bridge Rectifier Single Phase Standard 800 V Through Hole KBPC8
Подробнее
Артикул: 1284-10-AL
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN ALUMINUM3/4 RD, Round Spacer Unthreaded - Aluminum 0.563" (14.30mm) 9/16" -
Подробнее
Артикул: 7185-B
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: THUMBSCREWPLAIN BRASS1/4HD X 2.0, #10-24 Knob Thumb Screw - Drive Brass
Подробнее
Артикул: STD10N60DM2
Бренд: STMicroelectronics
Описание: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK, N-Channel 650 V 8A (Tc) 109W (Tc) Surface Mount DPAK
Подробнее
Артикул: P2N2907AG
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 60V 0.6A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее