г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30W Infineon Technologies

Артикул
IRG4BC30W
Бренд
Infineon Technologies
Описание
IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30W.jpg
*IRG4BC30W
480V, 12A, 23Ohm, 15V
100 W
Standard
600 V
23 A
-
92 A
2.7V @ 15V, 12A
130µJ (on), 130µJ (off)
51 nC
Through Hole
50
-
Tube
Obsolete
-55°C ~ 150°C (TJ)
TO-220-3
TO-220AB
RoHS non-compliant
1 (Unlimited)
REACH Unaffected
EAR99
8541.29.0095
25ns/99ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: SBR10150CT
Бренд: SMC Diode Solutions
Описание: DIODE SCHOTTKY 150V TO220AB, Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 150 V - Through Hole TO-220-3
Подробнее
Артикул: IMZ1AT108
Бренд: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 6SMT, Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 180MHz, 140MHz 300mW Surface Mount SMT6
Подробнее
Артикул: 1122-6-B-14
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERBRIGHT TIN OVER COPP, Round Spacer Unthreaded - Brass 0.125" (3.18mm) 1/8" -
Подробнее
Артикул: FDA69N25
Бренд: onsemi
Описание: MOSFET N-CH 250V 69A TO3PN, N-Channel 250 V 69A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3PN
Подробнее
Артикул: 1N6098
Бренд: Solid State
Описание: 50 AMP SCHOTTKY D-05, Diode Schottky 40 V 50A Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: NE5511279A-T1-A
Бренд: CEL
Описание: FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG, RF Mosfet LDMOS 7.5 V 400 mA 900MHz 15dB 40dBm 79A
Подробнее