г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30W-SPBF International Rectifier

Артикул
IRG4BC30W-SPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IG, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30W-SPBF.jpg
REACH Unaffected
Standard
23 A
600 V
480V, 12A, 23Ohm, 15V
-
92 A
2.7V @ 15V, 12A
130µJ (on), 130µJ (off)
76 nC
100 W
D2PAK
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
Not applicable
1 (Unlimited)
EAR99
2156-IRG4BC30W-SPBF,INFIRFIRG4BC30W-SPBF
1
25ns/99ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: NTE5247A
Бренд: NTE Electronics
Описание: DIODE ZENER 6.8V 50W DO5, Zener Diode 6.8 V 50 W ±5% Chassis, Stud Mount DO-5
Подробнее
Артикул: 1145-4-S
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERPLAIN STEEL1/4 RD X, Round Spacer Unthreaded - Steel 1.563" (39.69mm) -
Подробнее
Артикул: BD438STU
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 45V 4A TO126-3, Bipolar (BJT) Transistor PNP 45 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126-3
Подробнее
Артикул: BC237C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS NPN 45V 0.1A TO-92, Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 100 mA 200MHz 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Подробнее
Артикул: IRF122
Бренд: Harris
Описание: N-CHANNEL POWER MOSFET, N-Channel 100 V 8A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-3
Подробнее
Артикул: FN-853
Бренд: GC Electronics
Описание: 2-56X3/16 NYLON HEX NUT,
Подробнее