г. Санкт-Петербург,
ул. Магнитогорская, дом 51, литера Ю
Время работы: Офис: с 9 до 18
Склад: с 8 до 17
8 (812) 409-48-23 Звонок по России бесплатный sale@chipdocs.ru

IRG4BC30W-SPBF International Rectifier

Артикул
IRG4BC30W-SPBF
Бренд
International Rectifier
Описание
600V WARP 60-150 KHZ DISCRETE IG, IGBT - 600 V 23 A 100 W Surface Mount D2PAK
Цена
207 руб.
Теги
Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные
files/IRG4BC30W-SPBF.jpg
REACH Unaffected
Standard
23 A
600 V
480V, 12A, 23Ohm, 15V
-
92 A
2.7V @ 15V, 12A
130µJ (on), 130µJ (off)
76 nC
100 W
D2PAK
TO-263-3, D?Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
Bulk
Active
-55°C ~ 150°C (TJ)
Surface Mount
Not applicable
1 (Unlimited)
EAR99
2156-IRG4BC30W-SPBF,INFIRFIRG4BC30W-SPBF
1
25ns/99ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: BSZ12DN20NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON, N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Подробнее
Артикул: FDMC7660DC
Бренд: Fairchild Semiconductor
Описание: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3, N-Channel 30 V 30A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount Dual Cool ™ 33
Подробнее
Артикул: BD242C
Бренд: onsemi
Описание: TRANS PNP 100V 3A TO220AB, Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 3 A 3MHz 40 W Through Hole TO-220
Подробнее
Артикул: BSC047N08NS3GATMA1
Бренд: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 80V 18A/100A TDSON, N-Channel 80 V 18A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Подробнее
Артикул: SB530-A
Бренд: Diodes Incorporated
Описание: DIODE SCHOTTKY 30V 5A DO201AD, Diode Schottky 30 V 5A Through Hole DO-201AD
Подробнее
Артикул: 1248-10-S-12
Бренд: RAF Electronic Hardware
Описание: ROUND SPACERCLEAR ZINC5/8 RD X 1, Round Spacer Unthreaded - Steel 0.250" (6.35mm) 1/4" Clear
Подробнее