IRG4BC30WPBF Infineon Technologies

Артикул

IRG4BC30WPBF

Бренд

Infineon Technologies

Описание

IGBT 600V 23A 100W TO220AB, IGBT - 600 V 23 A 100 W Through Hole TO-220AB

Теги

Discrete Semiconductor Products, Дискретные полупроводниковые приборы, Transistors - IGBTs - Single, IGBT транзисторы - одиночные

files/IRG4BC30WPBF.jpg

SP001537038,*IRG4BC30WPBF

480V, 12A, 23Ohm, 15V

100 W

Standard

600 V

23 A

92 A

2.7V @ 15V, 12A

130µJ (on), 130µJ (off)

51 nC

Through Hole

1,000

Tube

Obsolete

-55°C ~ 150°C (TJ)

TO-220-3

TO-220AB

ROHS3 Compliant

1 (Unlimited)

REACH Unaffected

EAR99

8541.29.0095

25ns/99ns

Узнайте актуальную цену на данный товар

Оставьте Ваши контактные данные и наш менеджер ответит вам в течение 15 минут

Похожие товары

Артикул: 1436-25-AL

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN ALUMINUM1/2 HEX, Hex Spacer Unthreaded - Aluminum 0.938" (23.83mm) 15/16" -

Подробнее

Артикул: 1397-6-B

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN BRASS3/8 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Brass 0.438" (11.13mm) 7/16" -

Подробнее

Артикул: 2N3821

Бренд: Microchip Technology

Описание: N CHANNEL JFET, JFET N-Channel 50 V 300 mW Through Hole TO-72

Подробнее

Артикул: FQAF13N80

Бренд: onsemi

Описание: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF, N-Channel 800 V 8A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF

Подробнее

Артикул: 1459-6-S

Бренд: RAF Electronic Hardware

Описание: HEX SPACERPLAIN STEEL5/8 HEX X 7, Hex Spacer Unthreaded - Steel 0.438" (11.13mm) 7/16" -

Подробнее

Артикул: MRF8VP13350NR3

Бренд: NXP Semiconductors

Описание: TRANS RF LDMOS 350W 50V, RF Mosfet LDMOS (Dual) 50 V 100 mA 1.3GHz 19.2dB 350W OM780-4

Подробнее

IRG4BC30WPBF Infineon Technologies

Узнайте актуальную цену на данный товар

Похожие товары

Ваша заявка принята